【摘要】led如何配置电源 led使用注意事项芯片发热这主要是针对内置电源调制器的高压驱动芯片。当芯片消耗的电流为2mA、300V的电压施加到芯片上时,芯片的消耗功率为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自驱动电力MOS管的消耗,简单的计算式是I=cvf(考虑到充电的电阻效果,实际的I=2cvf,其中c是电力MOS管的cgs电容,v是电力管导通时的gate电压,为了降低芯片的消耗功率,需要c、v、必须考虑减少f的方法。c、v、......
芯片发热
这主要是针对内置电源调制器的高压驱动芯片。当芯片消耗的电流为2mA、300V的电压施加到芯片上时,芯片的消耗功率为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自驱动电力MOS管的消耗,简单的计算式是I=cvf(考虑到充电的电阻效果,实际的I=2cvf,其中c是电力MOS管的cgs电容,v是电力管导通时的gate电压,为了降低芯片的消耗功率,需要c、v、必须考虑减少f的方法。c、v、f无法变更时,请考虑将芯片的消耗功率分成芯片外的设备的方法。注意请勿导入额外的耗电。如果再简单一点的话,应该会考虑更好的散热吧。
功率管发热
关于这个问题,有人在论坛上投稿过。功率管的消耗功率分为两部分,是开关损耗和导通损耗。在许多情况下,特别是LED要注意的是,在市电驱动应用程序中,开关损失远大于导通损失。由于开关损耗与功率管cgd和cgs和芯片的驱动能力和操作频率有关,所以不能根据导通电阻的大小而单方面选择MOS功率管来解决功率管的发热。因为内部电阻越小,cgs以及cgd容量越大。例如,1N60的cgs是250pF左右,2N60的cgs是350pF左右,5N60的cgs是1200pF左右,差太大,在选择电源管时,可以充分使用。B、剩下的就是频率和芯片驱动能力,这里只说频率的影响。因为频率也与接通损失成比例,所以在功率管发热的情况下,首先考虑频率选择是否稍高。设法降低频率吧!但是,频率降低的话,为了得到同样的负荷能力,峰值电流必然变大,电感也变大,请注意电感有进入饱和区域的可能性。在电感饱和电流足够大的情况下,考虑将CCM(连续电流模式)变更为DCM(非连续电流模式),需要增加1个负载容量。
最新收获数
这也是用户在调试过程中比较常见的现象,频率下降主要是由于两个方面。输入电压和负载电压的比例小,系统干扰大。前者的情况下,请注意不要把负载电压设定得太高。负载电压虽然很高,但是效率很高。对于后者,a将最小电流设置为再小点;b、配线的清洁点,特别是sense这一关键路径;c、选择电感选择小点或封闭磁电路的电感;d、加RC低通滤波吧,这个影响有点不好,C的整合性也不好,虽然偏差有点大,但是我觉得照明足够了。无论如何都没有降低频率的好处,只有缺点,所以必须解决。
电感或变压器的选择
我才说了重点,但我还没入门,只能胡说八道饱和的影响。许多用户反应,相同驱动电路中a生产的电感没有问题,b生产的电感电流变小。这种情况下,让我们来看看电感电流波形吧。也有没有注意到这种现象sense直接调整电阻,使工作频率达到所需电流的工程师。这可能对LED的使用寿命产生严重影响。因此,设计前需要合理的计算,如果理论上计算的参数和调试参数之间的差稍远,则必须考虑频率下降和变压器是否饱和。变压器饱和时L变小,由传输delay引起的峰值电流的增加量急剧上升,LED的峰值电流也增加。以平均电流不变为前提,只能看到光正在衰退。
LED电流尺寸
LEDripple过大的话,LED寿命受到影响,影响有多大是众所周知的,但是哪个专家都没有见过。以前LED我曾经问过工厂这个数据,说是30%以内的话可以接受,但是没有验证。我建议尽量缩小。散热不畅的情况下,LED请一定要减额使用。希望专家也能给出具体指标,否则影响LED的普及。