半导体激光二极管的工作原理 半导体二极管激光器

emsp;半导体中的光发射通常归因于载流子的复合。当正向电压施加到半导体的pN结时，pN的结屏障变弱，电子从N区经由pN结写入P区，从P区经由pN结向N区写入空穴，与这些pN结邻接的非平衡电子和空穴再结合，波长变为λ的光子，公式如下。λ = hc/Eg（1）式中：h—普朗克常数；c-光速；Eg半导体的禁止带宽。激光二极管激光模组、激光灯公司介绍半导体二极管的原理，将通过电子和空穴的自觉复合而发光的情景称为自觉的辐射。当自发辐射产生的光子通过半导体时，发射的电子束63？通过孔接近，可以激发两个复合以产生新的光子，该光子可以诱导所激发的载波的复合，并将新的光子场景宣布为受激辐射。如果写入电流足够大，则可能构成与热平衡状态相反的载波散布，即粒子数旋转。当有源层中的载波多次旋转时，由少量自觉辐射产生的光子通过谐振腔两端表面的往复反射产生感应辐射，并且形成选择频率谐振正反馈，该选择频率谐振正反馈可以说对于某个频率具有增益。如果增益大于吸收损耗，则可以声明其具有来自pN结的优秀谱线激光器相干光，这是激光二极管的简化原理。