LED芯片的优点 led芯片的典型结构

一、MB芯片定义：Metal Bonding（金属粘结）芯片；这个芯片属于UEC的专利产品。

特征：

1：采用高散热系数的材料―Si作为基板，易于散热。

2：通过金属层wafer bonding磊晶层和基板结合，同时反射光子，避免基板的吸收。

3:导电性Si基板代替GaAS基板，具有良好的导热能力（导热系数差3~4倍），适应高驱动电流领域。

4：底部金属反射层，有利于提高光度和散热

5：尺寸的扩大，应用于High power领域，eg:42milMB

二、GB芯片

定义：GlueBonding（粘合）芯片；该芯片属于UEC的专利产品

特征：

1：代替吸光的透明蓝宝石衬底GaAS基板，具有以往的AS（Absorbable structure）芯片的2倍以上的输出蓝宝石衬底TS基板。

2：芯片从四面八方发光，非常优秀Pattern

3：亮度整体亮度超过了TS芯片的水平（8.6mil）

4：双电极结构，其高电流耐受性比TS单电极芯片稍差

三、TS芯片

定义：transparent structure（透明基板）芯片、该芯片属于HP的专利产品。

特征：

1：芯片处理的制作复杂，比ASLED高很多

2：可靠性强

3：透明GaP基板，不吸收光，亮度高

4：广泛应用

四、AS芯片

定义：Absorbable structure（吸收基板）芯片；

经过近40年的发展努力，台湾LED光电行业处于这种芯片研发、生产、销售成熟阶段，各公司在这方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。

大陆芯片制造业起步较晚，其亮度和可靠性与台湾业界还有一定的差距。这里我们描述的AS芯片、特指UEC芯片、eg:712SOL-VR、709SOL-VR、712SYM-VR、709SYM-VR、709SYM-VR等

特征：

1:4元芯片，采用MOVPE工艺制造，亮度比传统芯片亮

2：可靠性强

3：广泛应用