大功率LED芯片 led芯片大小和功率

大功率LED为了得到设备，需要准备适当的大功率LED面板灯芯片。在国际社会通常大功率LED芯片的制造方法如下所示。

①增大发光的大小。有效地增加单个LED发光区域和流动的电流量，并通过均匀分布层TCL实现预期的磁通量。然而，简单增加发光面积没有解决这个问题，散热问题不能实现预期的效果和实际应用中的磁通量。

②硅背平面法。共晶焊料首先，准备大的LED面板灯芯片，使用硅基板和硅基板、金的共晶钎料层和导电层导体（超声波金丝球插口接头），准备使用移动装置一起焊接的共晶焊料芯片和大的硅基板。这种结构更加合理，不仅考虑到这个问题，还考虑到光和热的问题是主流大功率LED生产。Lumileds公司美国在2001年开发了不同的触发器的电源AlGaInNFCLED结构，制造工序：第一P型氮化镓将外延膜上部的层厚超过500A堆积，使反射的Niau欧姆接触恢复，然后选择性地蚀刻，使用口罩露出p型层和多量子阱活性层N型层淀积蚀刻后形成的N型欧姆接触层1的1mtimes；通过将1mm侧的p型欧姆接触、N型欧姆接触以梳状插入，缩短芯片尺寸，能够缩短当前的扩展距离，能够将支承和铟镓铝氮化物扩散阻力抑制到最小限度ESD保护二极管ESD的硅芯片安装触发器触发器。

③陶瓷板反向组装。在通用装置的晶体结构的LED面板灯芯片的LED芯片的下一个大陶瓷板和陶瓷基板的共晶钎料层和导电层中，在该区域产生的对应的引线、焊接电极使用水晶LED芯片和大规格陶瓷薄板焊接的焊接装置。这样的结构是应该考虑的问题，也是应该考虑的问题，使用光、热、高热传导陶瓷板、陶瓷板，散热效果非常好，价格也比较低，适合将当前的基本包装材料和空间留在将来的集成电路中。

④蓝宝石衬底转变方法。蓝宝石衬底除去后的pN结的制造商在蓝宝石衬底上成长InGaN芯片，然后连接以往的四元材料，制造大型结构的蓝色LED芯片的下部电极，根据以往的方法。

⑤AlGaInN的碳化硅（SiC）背面光的方法。美国CREE公司是世界上唯一的碳化硅基板的AlGaInN超高亮度LED制造商，长年生产的AlGaInN/SICA芯片的架构不断改善，亮度增加。因为p型和N型电极分别位于该芯片的顶部和底部，所以使用一个单一的引线键合，为了比较好的适应性和易用性，成为主流产品的发展AlGaInNLED的另一个。